TiAl Sputtering Target High Purity Thin Film Pvd Coating ကို စိတ်တိုင်းကျ ပြုလုပ်ထားသည်။
တိုက်တေနီယမ် အလူမီနီယမ်
ဗီဒီယို
တိုက်တေနီယမ် အလူမီနီယမ် Sputtering ပစ်မှတ် ဖော်ပြချက်
sputter coating အတွက် ပစ်မှတ်အရည်အသွေး လိုအပ်ချက်သည် သမားရိုးကျ ပစ္စည်းများ လုပ်ငန်းထက် ပိုမိုမြင့်မားသည်။ပစ်မှတ်၏တူညီသောသေးငယ်သောဖွဲ့စည်းပုံသည် sputtering စွမ်းဆောင်ရည်ကိုတိုက်ရိုက်အကျိုးသက်ရောက်သည်။ကျွန်ုပ်တို့တွင် ပြီးပြည့်စုံသော အရည်အသွေးစီမံခန့်ခွဲမှုစနစ်ရှိပြီး ကျွန်ုပ်တို့သည် မြင့်မားသောသန့်ရှင်းသောကုန်ကြမ်းများကို ရွေးချယ်ကာ တစ်သားတည်းဖြစ်တည်မှုကို သေချာစေရန် နှိုက်နှိုက်ချွတ်ချွတ် ရောစပ်ထားသည်။တိုက်တေနီယမ် အလူမီနီယမ် အလွိုင်းပစ်မှတ်ကို ဖုန်စုပ်ပူဖြင့် နှိပ်သည့်နည်းလမ်းဖြင့် ထုတ်လုပ်သည်။
ကျွန်ုပ်တို့၏ တိုက်တေနီယမ် အလူမီနီယမ် ဖြုန်းတီးပစ်မှတ်များသည် ထူးထူးခြားခြား ဓာတ်တိုးဒဏ်ခံနိုင်သော နိုက်ထရိတ်အပေါ်ယံပိုင်းဖြစ်သော တိုက်တေနီယမ် အလူမီနီယမ်နိုက်ထရိတ် (TiAlN) ကို ပေးစွမ်းနိုင်သည်။TiAlN သည် ဖြတ်တောက်သည့်ကိရိယာများ၊ လျှောအစိတ်အပိုင်းများနှင့် tribo-coatings များအတွက် ရုပ်ရှင်အဖြစ် လက်ရှိပင်မရေစီးကြောင်းဖြစ်သည်။၎င်းတွင် မြင့်မားသော မာကျောမှု၊ မာကျောမှု၊ ဝတ်ဆင်မှု ခံနိုင်ရည်ရှိမှုနှင့် ဓာတ်တိုးမှု အပူချိန်တို့ ပါဝင်သည်။
ကျွန်ုပ်တို့၏ ပုံမှန် TiAl ပစ်မှတ်များနှင့် ၎င်းတို့၏ ဂုဏ်သတ္တိများ
Ti-75အယ်လ် at % | Ti-70အယ်လ် at % | Ti-67အယ်လ် at % | Ti-60အယ်လ် at % | Ti-50အယ်လ် at % | Ti-30အယ်လ် at % | ပြေတီဦး - ၂၀အယ်လ် at % | ပြေတီဦး - ၁၄အယ်လ် at % | |
သန့်ရှင်းမှု (%) | ၉၉.၇ | ၉၉.၇ | ၉၉.၇ | ၉၉.၇ | 99.8/၉၉.၉ | ၉၉.၉ | ၉၉.၉ | ၉၉.၉ |
သိပ်သည်းဆ(g/cm၃) | ၃.၁ | ၃.၂ | ၃.၃ | ၃.၄ | ၃.၆၃/၃.၈၅ | ၃.၉၇ | ၄.၂၅ | ၄.၃ |
Gမိုး အရွယ်အစား(µm) | ၁၀၀ | ၁၀၀ | ၁၀၀ | ၁၀၀ | ၁၀၀/- | - | - | - |
လုပ်ငန်းစဉ် | ဟစ် | ဟစ် | ဟစ် | ဟစ် | ဟစ်/VAR | VAR | VAR | VAR |
တိုက်တေနီယမ် အလူမီနီယမ် Sputtering ပစ်မှတ်ထုပ်ပိုးခြင်း။
ကျွန်ုပ်တို့၏ တိုက်တေနီယမ် အလူမီနီယမ် ရေပက်ပစ်မှတ်ကို ထိရောက်စွာ ဖော်ထုတ်ခြင်းနှင့် အရည်အသွေးထိန်းချုပ်မှု သေချာစေရန်အတွက် ပြင်ပတွင် ပြတ်ပြတ်သားသား တံဆိပ်တပ်ထားသည်။သိုလှောင်မှု သို့မဟုတ် သယ်ယူပို့ဆောင်ရေးအတွင်း ဖြစ်ပေါ်လာနိုင်သည့် ပျက်စီးဆုံးရှုံးမှုများကို ရှောင်ရှားရန် အထူးဂရုပြုပါသည်။
ဆက်သွယ်ရန်
RSM ၏ တိုက်တေနီယမ် အလူမီနီယမ် ဖြန်းပစ်ပစ်မှတ်များသည် အလွန်မြင့်မားသော သန့်စင်မှုနှင့် တစ်ပြေးညီဖြစ်သည်။၎င်းတို့ကို ပုံစံအမျိုးမျိုး၊ သန့်ရှင်းမှု၊ အရွယ်အစားနှင့် ဈေးနှုန်းများဖြင့် ရရှိနိုင်ပါသည်။
ကျွန်ုပ်တို့သည် ဂျီဩမေတြီပုံစံအမျိုးမျိုးကို ပံ့ပိုးပေးနိုင်သည်- ပြွန်များ၊ arc cathodes၊ planar သို့မဟုတ် စိတ်ကြိုက်ပြုလုပ်ထားသော၊ နှင့် အလူမီနီယမ်၏ အချိုးအစားအမြောက်အမြားကို ပံ့ပိုးပေးနိုင်ပါသည်။ကျွန်ုပ်တို့၏ထုတ်ကုန်များသည် အလွန်ကောင်းမွန်သော စက်ပိုင်းဆိုင်ရာဂုဏ်သတ္တိများ၊ တစ်သားတည်းဖြစ်တည်နေသော အသေးစားတည်ဆောက်ပုံ၊ ခွဲခြားထားခြင်း၊ ချွေးပေါက်များ သို့မဟုတ် အက်ကွဲကြောင်းများမရှိသော ပွတ်တိုက်နေသောမျက်နှာပြင်များပါရှိသည်။
မှိုအပေါ်ယံပိုင်း၊ အလှဆင်ခြင်း၊ မော်တော်ကားအစိတ်အပိုင်းများ၊ Low-E glass၊ semi-conductor ပေါင်းစပ်ဆားကစ်၊ ပါးလွှာသောဖလင်များတွင် အသုံးပြုရန်အတွက် အမြင့်ဆုံးသောသိပ်သည်းဆနှင့် အသေးငယ်ဆုံးဖြစ်နိုင်သော ပျမ်းမျှစပါးအရွယ်အစားများနှင့်အတူ သန့်ရှင်းစင်ကြယ်သော ပါးလွှာသောဖလင်အပေါ်ယံပိုင်းပစ္စည်းများကို အထူးပြုထုတ်လုပ်ပါသည်။ ခံနိုင်ရည်၊ ဂရပ်ဖစ်ပြသမှု၊ အာကာသယာဉ်၊ သံလိုက်မှတ်တမ်းတင်မှု၊ ထိတွေ့မျက်နှာပြင်၊ ပါးလွှာသောဖလင်ဆိုလာဘက်ထရီနှင့်အခြားရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာအငွေ့ပြန်မှု (PVD) အသုံးချပရိုဂရမ်များ။sputtering ပစ်မှတ်များနှင့် စာရင်းမသွင်းထားသော အခြား အစစ်ခံပစ္စည်းများအပေါ် လက်ရှိစျေးနှုန်းအတွက် စုံစမ်းမေးမြန်းရန် ကျွန်ုပ်တို့ထံ ပေးပို့ပါ။