အီလက်ထရွန်နစ်လုပ်ငန်း ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုနှင့်အတူ၊tနည်းပညာမြင့် သတင်းအချက်အလက်မှ ပါးလွှာသော ရုပ်ရှင်များဆီသို့ တဖြည်းဖြည်း ကူးပြောင်းသွားကာ အပေါ်ယံပိုင်းကာလကို လျင်မြန်စွာ လုပ်ဆောင်သည်။. သတ္တုမဟုတ်သော ရုပ်ရှင်လုပ်ငန်း ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုအတွက် အခြေခံအဖြစ် ကြွေထည်ပစ်မှတ်သည် မကြုံစဖူးသော ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုကို ရရှိပြီး ကြွေထည်ပစ်မှတ်၏ စျေးကွက်စကေးသည် တနေ့တခြား ကျယ်ပြန့်လာပါသည်။ ယခု Beijing Ri ၏ အယ်ဒီတာငယ်ကို ခွင့်ပြုပါ။chmat ကြွေထည်ပစ်မှတ် အမျိုးအစားများအကြောင်း သင်နှင့် မျှဝေပါ။လူတိုင်းအတွက် အထောက်အကူကောင်းတစ်ခုဖြစ်နိုင်မယ်လို့ မျှော်လင့်ပါတယ်။
အတွင်းပိုင်းကြွေထည်ပစ်မှတ်ပစ္စည်းသည် အမြင့်ဆုံးအလျား 600mm၊ အမြင့်ဆုံး 400mm၊ အမြင့်ဆုံးအထူ 30mm၊ အသားလွှာထောင့်များ၊ beveled edges၊ လှေကားစသည်ဖြင့် အထူးပုံသဏ္ဍာန်များကို ထုတ်လုပ်ပေးနိုင်သည့် sintering နှင့် binding process ကို အဓိကအားဖြင့် လက်ခံပါသည်။ယေဘူယျကြွေထည်ပစ်မှတ်များသည် အဓိကအားဖြင့် ITO မူဝါဒ၊ မဂ္ဂနီဆီယမ်အောက်ဆိုဒ်မူဝါဒ၊ သံအောက်ဆိုဒ်မူဝါဒ၊ ဆီလီကွန်နိုက်ထရိတ်ပစ်မှတ်၊ ဆီလီကွန်ကာဘိုင်ပစ်မှတ်၊ တိုက်တေနီယမ်နိုက်ထရိတ်ပစ်မှတ်မူဝါဒ၊ ဇင့်အောက်ဆိုဒ်မူဝါဒ၊ ဆီလီကာမူဝါဒ၊ စီရီယမ်အောက်ဆိုဒ်ပစ်မှတ်၊ ဇင့်ဆာလဖိုက်ပစ်မှတ်၊ ဆီလီကာမူဝါဒ၊ ဇာကွန်နီးယားမူဝါဒ၊ niobium pentoxide ပစ်မှတ် 36၊ တိုက်တေနီယမ်ဒိုင်အောက်ဆိုဒ်မူဝါဒ၊ (yttrium ဖလိုရိုက်ပစ်မှတ်၊ မူဝါဒ (yttrium ဖလိုရိုက်ပစ်မှတ်၊ မူဝါဒ)၊ (yttrium ဖလိုရိုက်ပစ်မှတ်၊ 200 200 200 200 200 200 200 200 200 200 200 2020202020 ၂၀၀ ၂ 、200 200 200 200 200 2、200 200 200 200 200 200 200 200 200 200 200 200 200 200 200 200 200 2020 2020 2020 2020 0 200 200 200 200 200 200 200 200 200 200、200 200 2、20、200 2、200 2、200 2、200)၊ဆီလီကွန်နိုက်ထရိတ်ပစ်မှတ်၊ ဘိုရွန်နိုက်ထရိတ်မူဝါဒ၊ တိုက်တေနီယမ်နိုက်ထရိတ်ပစ်မှတ်၊ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ပစ်မှတ်မူဝါဒ၊ ပရာစီအိုဒီယမ် တိုက်တေနိတ်ပစ်မှတ်မူဝါဒ၊ ဘေရီယမ်နိုက်ထရိတ်ပစ်မှတ်၊ အောက်ဆိုဒ်မူဝါဒ စသည်တို့၊
ကြွေထည်ပစ်မှတ်အမျိုးအစားများ:
(၁)ဓာတုဖွဲ့စည်းမှုအရ၊ ၎င်းကို အောက်ဆိုဒ်ကြွေပစ်မှတ်များ၊ ဆီးဆေးကြွေထည်များ၊ နိုက်ထရိတ်ကြွေပစ်မှတ်များ၊ ဖလိုရိုက်ကြွေပစ်မှတ်များ၊ sulfide ကြွေပစ်မှတ်များ၊ စသည်ဖြင့် ခွဲခြားနိုင်သည်။. ဤကာလအတွင်းတွင်၊ Planar Visualizer ITO ကြွေထည်ပစ်မှတ်ကို တရုတ်နိုင်ငံတွင် တွင်ကျယ်စွာအသုံးပြုသည်။မြင့်မားသော dielectric insulating films နှင့် ဧရာမ magnetoresistors ပါရှိသော ကြွေထည်ပစ်မှတ်များသည် ကျယ်ပြန့်သောအသုံးချမှုအလားအလာများရှိသည်။
(2) အပလီကေးရှင်းအရ၊ ၎င်းကို semiconductor နှင့်ဆက်စပ်သောကြွေပစ်မှတ်များ၊ ပြသထားသောကြွေပစ်မှတ်များ၊ သံလိုက်မှတ်တမ်းတင်ကြွေပစ်မှတ်များ၊ optical recording ceramic ပစ်မှတ်များ၊ superconducting ceramic ပစ်မှတ်များ၊ ဧရာမသံလိုက်ဓာတ်ခံကြွေထည်ပစ်မှတ်များ စသည်တို့ကို ခွဲခြားနိုင်ပါသည်။
ကြွေထည်ပစ်မှတ်များသည် ရှိရင်းစွဲရှုပ်ထွေးသော အီလက်ထရွန်နစ်ထုတ်ကုန်များထုတ်လုပ်ရာတွင် ပရောဂျက်၏တစ်စိတ်တစ်ပိုင်းအတွက်သာ ရည်မှန်းထားသော်လည်း ၎င်းတို့သည် သတင်းအချက်အလက်လုပ်ငန်း၏ အရင်းခံတွင် ဒေတာလမ်းညွှန်မှုအခန်းကဏ္ဍတွင် ပါဝင်ပါသည်။တရုတ်နိုင်ငံ၏ အီလက်ထရွန်နစ် သတင်းအချက်အလက်လုပ်ငန်းသည် လျင်မြန်စွာ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်လာကာ ကြွေထည်ပစ္စည်းထုတ်ခြင်းပစ်မှတ်များအတွက် လိုအပ်ချက်သည် တစ်နှစ်ထက်တစ်နှစ် တိုးလာခဲ့သည်။. အနာဂတ်တွင်၊ Ceramic Sputtering ပစ်မှတ်များ သုတေသနနှင့် ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်ရေးသည် တရုတ်နိုင်ငံ၏ ပစ်မှတ်တင်သွင်းသူအတွက် အရေးကြီးသော အကြောင်းအရာတစ်ခုဖြစ်သည်။
ပို့စ်အချိန်- ဧပြီလ ၂၈-၂၀၂၂