ပိုလီဆီလီကွန်ပစ်မှတ်ဆိုတာဘာလဲ

ပိုလီစီလီကွန်သည် အရေးကြီးသော ဖျတ်ဖျတ်ပစ်မှတ်ပစ္စည်းဖြစ်သည်။SiO2 နှင့် အခြားပါးလွှာသော ရုပ်ရှင်များကို ပြင်ဆင်ရန် magnetron sputtering နည်းလမ်းကို အသုံးပြုခြင်းဖြင့် matrix ပစ္စည်းသည် ထိတွေ့မျက်နှာပြင်၊ optical နှင့် အခြားသော လုပ်ငန်းများတွင် တွင်ကျယ်စွာ အသုံးပြုသည့် optical၊ dielectric နှင့် corrosion resistance ပိုမိုကောင်းမွန်စေသည်။

ရှည်လျားသော crystals များသွန်းလုပ်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်သည် အောက်ခြေမှ ထိပ်အထိ ဆီလီကွန်အရည်၏ ဦးတည်ချက်ခိုင်မာမှုကို သိရှိနားလည်ရန်ဖြစ်ပြီး အပူပေးစက်၏အပူချိန်ကို တိကျစွာထိန်းချုပ်ရန်နှင့် အပူလျှပ်ကာပစ္စည်း၏အပူကို စွန့်ထုတ်ခြင်း ၊ solidification ရှည်လျားသော crystals မြန်နှုန်းသည် 0.8 ~ 1.2cm/h ဖြစ်သည်။တစ်ချိန်တည်းမှာပင်၊ ဦးတည်ချက်ခိုင်မာမှုဖြစ်စဉ်တွင် ဆီလီကွန်ပစ္စည်းများရှိ သတ္တုဒြပ်စင်များ၏ ခွဲထွက်မှုအကျိုးသက်ရောက်မှုကို သိရှိနိုင်ပြီး သတ္တုဒြပ်စင်အများစုကို သန့်စင်နိုင်ပြီး တူညီသော polycrystalline silicon ကောက်နှံဖွဲ့စည်းပုံကိုလည်း ဖွဲ့စည်းနိုင်သည်။

ဆီလီကွန်အရည်ပျော်မှုတွင် လက်ခံနိုင်သော အညစ်အကြေးများ၏ အာရုံစူးစိုက်မှုကို ပြောင်းလဲစေရန်အတွက် ပိုလီဆီလီကွန် Casting သည် ထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်းစဉ်တွင် ရည်ရွယ်ချက်ရှိရှိဆေးကြောရန် လိုအပ်ပါသည်။စက်မှုလုပ်ငန်းတွင် p-type cast polysilicon ၏အဓိက dopant သည် silicon boron master alloy ဖြစ်ပြီး ဘိုရွန်ပါဝင်မှုသည် 0.025% ခန့်ဖြစ်သည်။မူးယစ်ဆေးဝါးပမာဏကို ဆီလီကွန် wafer ၏ပစ်မှတ်ခံနိုင်ရည်ဖြင့် ဆုံးဖြတ်သည်။အကောင်းဆုံးခုခံနိုင်စွမ်းမှာ 0.02 ~ 0.05 Ω • စင်တီမီတာဖြစ်ပြီး သက်ဆိုင်ရာ ဘိုရွန်အာရုံစူးစိုက်မှုမှာ 2 × 1014cm-3 ခန့်ဖြစ်သည်။ သို့သော်၊ ဆီလီကွန်ရှိ ဘိုရွန်၏ ခွဲထွက်မှုကိန်းဂဏန်းသည် 0.8 ဖြစ်သည်၊ ၎င်းသည် ဦးတည်ချက်ခိုင်မာသော ခိုင်မာမှုဖြစ်စဉ်တွင် အချို့သော ခွဲထွက်မှုအကျိုးသက်ရောက်မှုကို ပြသမည်ဖြစ်သည်။ ဆိုလိုသည်မှာ၊ ဘိုရွန်ဒြပ်စင်ကို ingot ၏ဒေါင်လိုက်ဦးတည်ချက်တွင် gradient ဖြင့်ဖြန့်ဝေထားပြီး ခံနိုင်ရည်အား အောက်ခြေမှ ingot ၏ထိပ်အထိ တဖြည်းဖြည်းလျော့နည်းသွားပါသည်။