ယခုတွင် အသုံးပြုသူများသည် ပစ်မှတ်အမျိုးအစားများကို ပိုမိုနားလည်လာကြသည်။၎င်း၏အသုံးချမှုများ၊ သို့သော်၎င်း၏အခွဲပိုင်းသည်အလွန်ရှင်းလင်းမည်မဟုတ်ပါ။.ကဲ စလိုက်ကြရအောင်RSM အင်ဂျင်နီယာ သင်နှင့်အတူမျှဝေပါ။induction အချို့ magnetron sputtering ပစ်မှတ်များ.
Sputtering ပစ်မှတ်- သတ္တု sputtering အပေါ်ယံပိုင်းပစ်မှတ်၊ အလွိုင်း sputtering coating ပစ်မှတ်၊ ကြွေ sputtering coating ပစ်မှတ်၊ boride ကြွေ sputtering ပစ်မှတ်၊ carbide ceramic sputtering ပစ်မှတ်၊ ဖလိုရိုက် ကြွေ sputtering ပစ်မှတ်၊ nitride ceramic sputtering ပစ်မှတ်၊ oxide ceramic ပစ်မှတ်၊ selenide ကြွေ sputtering ပစ်မှတ်၊ silicide ceramic sputtering ပစ်မှတ်၊ sulfide ကြွေထည်ပစ်မှတ်၊ telluride ကြွေထည်ပစ်မှတ်၊ အခြားကြွေထည်ပစ်မှတ်များ၊ Chromium doped silicon oxide ceramic target (CR SiO)၊ indium phosphide ပစ်မှတ် (INP)၊ lead arsenide ပစ်မှတ် (pbas)၊ indium arsenide ပစ်မှတ် (InAs)။
Magnetron sputtering ကို ယေဘုယျအားဖြင့် DC sputtering နှင့် RF sputtering ဟူ၍ နှစ်မျိုးခွဲခြားထားသည်။DC sputtering equipment ၏ နိယာမသည် ရိုးရှင်းပြီး သတ္တုကို sputtering လုပ်သည့်အခါ ၎င်း၏ နှုန်းမှာလည်း မြန်ဆန်ပါသည်။RF sputtering ကို တွင်တွင်ကျယ်ကျယ် အသုံးပြုသည်။conductive data ကို sputtering အပြင်၊ conductive မဟုတ်သော data ကိုလည်း sputter လုပ်နိုင်ပါသည်။အောက်ဆိုဒ်၊ နိုက်ထရိုက်နှင့် ကာဗိုက်များကဲ့သို့သော ဒြပ်ပေါင်းဒေတာများကို ပြင်ဆင်ရန်အတွက် sputtering ပစ်မှတ်ကို ဓာတ်ပြုမှု sputtering အတွက်လည်း အသုံးပြုနိုင်သည်။RF ကြိမ်နှုန်း တိုးလာပါက၊ ၎င်းသည် microwave plasma sputtering ဖြစ်လာပါမည်။လက်ရှိတွင်၊ အီလက်ထရွန် cyclotron resonance (ECR) microwave plasma sputtering ကို အသုံးများသည်။
စာတိုက်အချိန်- မေလ ၂၆-၂၀၂၂