ခေတ်မီအဆောက်အအုံများတွင် ဖန်မီးအလင်းရောင် အများအပြားကို အသုံးပြုလာကြသည်။ဤအသွင်အပြင်သည် ကျွန်ုပ်တို့အား ပိုမိုတောက်ပသော အခန်းများနှင့် ပိုမိုကျယ်ပြန့်သော မိုးကုတ်စက်ဝိုင်းများကို ပေးသည်။တစ်ဖက်တွင်၊ ဖန်သားမှ တစ်ဆင့် ကူးစက်သော အပူသည် ပတ်ဝန်းကျင် နံရံများထက် များစွာ မြင့်မားပြီး အဆောက်အအုံ တစ်ခုလုံး၏ စွမ်းအင် သုံးစွဲမှု သိသိသာသာ တိုးလာပါသည်။.
ဖွံ့ဖြိုးပြီးနိုင်ငံများရှိ ဓါတ်ရောင်ခြည်နည်းသောဖန်ခွက်များ၏ ၉၀ ရာခိုင်နှုန်းကျော်အသုံးပြုမှုနှုန်းနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက တရုတ်နိုင်ငံတွင် အီးနိမ့်ဖန်များ ထိုးဖောက်ဝင်ရောက်မှုနှုန်းမှာ 12% ခန့်သာရှိပြီး တရုတ်နိုင်ငံသည် ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုအတွက် နေရာများစွာကျန်ရှိနေဆဲဖြစ်သည်။ သာမန်ဖန်နှင့် အွန်လိုင်းနိမ့်-E ဖန်၊ အော့ဖ်လိုင်း LowE ဖန်များ၏ ထုတ်လုပ်မှုကုန်ကျစရိတ်သည် မြင့်မားပြီး အတိုင်းအတာတစ်ခုအထိ အသုံးချမှုကို ကန့်သတ်ထားသည့်အတွက် ပြည်တွင်းဖန်များ စီမံဆောင်ရွက်ပေးသည့် လုပ်ငန်းများသည် အပေါ်ယံထုတ်ကုန်များ၏ ထုတ်လုပ်မှုကုန်ကျစရိတ်ကို စဉ်ဆက်မပြတ်လျှော့ချရန် တာဝန်ရှိသည်၊ အကောင်အထည်ဖော်မှုကို အရှိန်မြှင့်ရန်၊ စွမ်းအင်ချွေတာရေး၊ သဘာဝပတ်ဝန်းကျင်ကို မြှင့်တင်ရန်နှင့် လူမှုရေရှည်တည်တံ့ခိုင်မြဲသော ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှု ရရှိစေရန်။
1၊ပစ်မှတ်ပုံသဏ္ဍာန်၏သြဇာလွှမ်းမိုးမှု
အပေါ်ယံပိုင်း၏ ကြီးမားသော ဧရိယာများသည် အသွားအလာ တိမ်းညွှတ်မှုနှင့် လှည့်ပတ်မှု အပါအဝင် ပုံသဏ္ဍာန်အရ ပစ်မှတ်ကို အသုံးပြုလေ့ရှိသည်။ယေဘူယျအားဖြင့် ပစ်မှတ်များမှာ ကြေးနီပစ်မှတ်၊ ငွေပစ်မှတ်၊Ni-Cr ပစ်မှတ်နှင့် ဖိုက်တင်ပစ်မှတ်။ယေဘူယျလှည့်ပတ်သည့်ပစ်မှတ်တွင် ဇင့်အလူမီနီယမ်ပစ်မှတ်၊ ဇင့်သံဖြူပစ်မှတ်၊ ဆီလီကွန်အလူမီနီယံပစ်မှတ်၊ သံဖြူပစ်မှတ်၊ တိုက်တေနီယမ်အောက်ဆိုဒ်ပစ်မှတ်၊ ဇင့်အောက်ဆိုဒ်လူမီနီယံပစ်မှတ်စသည်ဖြင့်။ ပစ်မှတ်ပုံသဏ္ဍာန်သည် magnetron sputtering coating ၏ တည်ငြိမ်မှုနှင့် ဖလင်ဂုဏ်သတ္တိများကို သက်ရောက်မှုရှိမည်ဖြစ်ပြီး အသုံးချမှု ပစ်မှတ်နှုန်းသည် အလွန်မြင့်မားသည်။ပစ်မှတ်၏ ပုံသဏ္ဍာန်ရေးဆွဲခြင်းကို ပြောင်းလဲပြီးနောက်၊ အပေါ်ယံပိုင်း၏ အရည်အသွေးနှင့် ထုတ်လုပ်မှုစွမ်းအားကို မြှင့်တင်နိုင်ပြီး ကုန်ကျစရိတ်ကို သက်သာစေနိုင်သည်။.
2၊နှိုင်းရသိပ်သည်းဆ၏ လွှမ်းမိုးမှုနှင့် ပစ်မှတ်ရှင်းလင်းမှု
ပစ်မှတ်ရှိ နှိုင်းရသိပ်သည်းဆသည် ပစ်မှတ်၏ သီအိုရီအရ သိပ်သည်းဆနှင့် လက်တွေ့ကျသော သိပ်သည်းဆအချိုး၊ တစ်ခုတည်းသော အစိတ်အပိုင်းပစ်မှတ်၏ သီအိုရီသိပ်သည်းဆမှာ ပုံဆောင်ခဲသိပ်သည်းဆဖြစ်ပြီး သတ္တုစပ် သို့မဟုတ် ရောစပ်ပစ်မှတ်၏ သီအိုရီအရ သိပ်သည်းဆကို သီအိုရီအရ တွက်ချက်သည်။ ဒြပ်စင်တစ်ခုစီ၏သိပ်သည်းဆနှင့် အလွိုင်း သို့မဟုတ် အရောအနှောများတွင် အချိုးအစား..အပူဖြန်းဆေး၏ ပစ်မှတ်အစီအစဉ်သည် ချွေးပေါက်များ၊ လွန်စွာ အောက်ဆီဂျင်ပါ၀င်သည် (လေဟာနယ်တွင်ပင်၊ အလွိုင်းပစ်မှတ်တွင် အောက်ဆိုဒ်နှင့် နိုက်ထရပ်ဒြပ်ပေါင်းများ ထုတ်လုပ်မှုမှာ မလွဲမသွေဖြစ်သည်)၊ အသွင်အပြင်သည် မီးခိုးရောင်ဖြစ်ပြီး သတ္တုတောက်ပမှု ကင်းမဲ့သည်။စုပ်ယူထားသော အညစ်အကြေးများနှင့် အစိုဓာတ်များသည် ညစ်ညမ်းမှု၏ အဓိကအရင်းအမြစ်များဖြစ်သည်။
3၊ပစ်မှတ်အမှုန်အမွှားအရွယ်အစားနှင့် ပုံဆောင်ခဲဦးတည်ချက်၏လွှမ်းမိုးမှု
ပစ်မှတ်၏တူညီသောအလေးချိန်တွင်၊ အမှုန်အရွယ်အစားသေးငယ်သောပစ်မှတ်သည် ကြီးမားသောအမှုန်အရွယ်အစားရှိသောပစ်မှတ်ထက်ပိုမိုမြန်ဆန်သည်။အဘယ်ကြောင့်ဆိုသော် ရေပက်ခြင်းဖြစ်စဉ်ရှိ အမှုန်နယ်နိမိတ်သည် ကျူးကျော်ရန် လွယ်ကူသည်၊ အမှုန်နယ်နိမိတ် များလေ၊ ဖလင်ဖွဲ့စည်းမှု ပိုမြန်လေ ဖြစ်သောကြောင့် ဖြစ်သည်။အမှုန်အမွှားအရွယ်အစားသည် sputtering speed ကိုသာမက ဖလင်ဖွဲ့စည်းပုံအရည်အသွေးကိုပါ ထိခိုက်စေပါသည်။ ဥပမာအားဖြင့်၊ EowE ထုတ်ကုန်များ၏ ထုတ်လုပ်ရေးလုပ်ငန်းစဉ်တွင် NCr သည် အနီအောက်ရောင်ခြည်ရောင်ပြန်အလွှာ Ag ၏ ပြုပြင်ထိန်းသိမ်းမှုအလွှာအဖြစ် လုပ်ဆောင်ပေးကာ ၎င်း၏အရည်အသွေးသည် ကြီးမားသောသြဇာသက်ရောက်မှုရှိပါသည်။ coating ထုတ်ကုန်များ။NiCr ဖလင်အလွှာ၏ ကြီးမားသော မျိုးသုဉ်းမှုကိန်းဂဏန်းကြောင့် ၎င်းသည် ယေဘူယျအားဖြင့် ပါးလွှာသည် (3nm) ခန့်ရှိသည်။ အမှုန်အရွယ်အစား ကြီးလွန်းပါက ရေပက်ချိန်တိုလာသည်၊ ဖလင်အလွှာ၏သိပ်သည်းဆသည် ပိုဆိုးလာကာ Ag အလွှာ၏ ထိန်းသိမ်းမှုအကျိုးသက်ရောက်မှု လျော့နည်းသွားသည်နှင့် coating ထုတ်ကုန်များ၏ oxidation decoating ဖြစ်ပေါ်လာသည်။
နိဂုံးချုပ်
ပစ်မှတ်ပစ္စည်း၏ ပုံသဏ္ဍာန်ရေးဆွဲခြင်းသည် အဓိကအားဖြင့် ပစ်မှတ်ပစ္စည်း၏ အသုံးချမှုနှုန်းအပေါ် သက်ရောက်မှုရှိသည်။ကျိုးကြောင်းဆီလျော်သော အရွယ်အစား စီစဉ်ခြင်းသည် ပစ်မှတ်ပစ္စည်း၏ အသုံးချမှုနှုန်းကို မြှင့်တင်နိုင်ပြီး ကုန်ကျစရိတ်ကို သက်သာစေနိုင်သည်။ အမှုန်အရွယ်အစားသေးငယ်လေ၊ အပေါ်ယံအမြန်နှုန်းပိုမြန်လေ၊ တူညီမှုပိုကောင်းလေဖြစ်သည်။သန့်ရှင်းမှုနှင့် သိပ်သည်းဆ မြင့်မားလေ၊ ချွေးပေါက်များ နိမ့်လေလေ၊ ဖလင်အရည်အသွေး ပိုမိုကောင်းမွန်လေဖြစ်ပြီး အညစ်အကြေးစွန့်ထုတ်နိုင်ခြေ နည်းပါးလေဖြစ်သည်။
ပို့စ်အချိန်- ဧပြီလ ၂၇-၂၀၂၂