စျေးကွက်ဝယ်လိုအား တိုးလာသည်နှင့်အမျှ၊ sputtering ပစ်မှတ်အမျိုးအစားများ ပိုများလာကာ အဆက်မပြတ် မွမ်းမံနေပါသည်။အချို့က ရင်းနှီးကြပြီး အချို့က ဖောက်သည်များနှင့် မရင်းနှီးပါ။ယခု၊ ကျွန်ုပ်တို့သည် magnetron sputtering ပစ်မှတ်အမျိုးအစားများကို သင့်အား မျှဝေလိုပါသည်။
Sputtering ပစ်မှတ်တွင် အောက်ပါအမျိုးအစားများ ရှိသည်- သတ္တုစပ်ဖျဉ်းဖျဉ်းပစ်မှတ်၊ သတ္တုစပ်စပတာထုတ်ပစ်မှတ်၊ ကြွေထည်စပတာတင်အလွှာပစ်မှတ်၊ ဘိုရိုက်ကြွေထည်ပစ်မှတ်၊ ကာဗိုက်ကြွေထည်ပစ်မှတ်၊ ဖလိုရိုက်ကြွေထည်ပစ်မှတ်၊ နိုက်ထရိတ်ကြွေထည်ပစ်မှတ်၊ အောက်ဆိုဒ်ကြွေရည်ပစ်ပစ်မှတ်၊ ဆီလီနိုက်ကြွေထည်ပစ်မှတ် ဆီးဆေးကြွေထည်ပစ်မှတ်၊ sulfide ကြွေထည်ပစ်မှတ်၊ telluride ကြွေထည်ပစ်မှတ်၊ အခြားကြွေပစ်မှတ်များ၊ Chromium doped ဆီလီကွန်အောက်ဆိုဒ်ကြွေပစ်မှတ် (CR SiO)၊ indium phosphide ပစ်မှတ် (INP)၊ lead arsenide ပစ်မှတ် (pbas)၊ indium arsenide ပစ်မှတ် (InAs )
Magnetron sputtering ကို ယေဘုယျအားဖြင့် DC sputtering နှင့် RF sputtering ဟူ၍ နှစ်မျိုးခွဲခြားထားသည်။DC sputtering equipment ၏ နိယာမသည် ရိုးရှင်းပြီး သတ္တုကို sputtering လုပ်သည့်အခါ ၎င်း၏ နှုန်းမှာလည်း မြန်ဆန်ပါသည်။RF sputtering ကို တွင်တွင်ကျယ်ကျယ် အသုံးပြုသည်။conductive data ကို sputtering အပြင်၊ conductive မဟုတ်သော data ကိုလည်း sputter လုပ်နိုင်ပါသည်။တစ်ချိန်တည်းမှာပင်၊ sputtering ပစ်မှတ်သည် အောက်ဆိုဒ်၊ နိုက်ထရိုက်နှင့် ကာဗိုက်များကဲ့သို့သော ဒြပ်ပေါင်းဒေတာများကို ပြင်ဆင်ရန် ဓာတ်ပြုမှု sputtering ကို လုပ်ဆောင်သည်။RF ကြိမ်နှုန်း တိုးလာပါက၊ ၎င်းသည် microwave plasma sputtering ဖြစ်လာပါမည်။လက်ရှိတွင်၊ အီလက်ထရွန် cyclotron resonance (ECR) microwave plasma sputtering ကို အသုံးများသည်။
စာတိုက်အချိန်- မေ ၁၈-၂၀၂၂