ပစ်မှတ်တွင် လုပ်ဆောင်ချက်များစွာရှိပြီး နယ်ပယ်များစွာတွင် ကျယ်ပြန့်သောအသုံးချပရိုဂရမ်များရှိသည်။Sputtering ကိရိယာအသစ်သည် ပစ်မှတ်နှင့် အာဂွန်အိုင်းယွန်းအကြား တိုက်မိမှုဖြစ်နိုင်ခြေကို တိုးမြင့်စေသည့် ပစ်မှတ်တစ်ဝိုက်တွင် အာဂွန်၏ အိုင်ယွန်ဓာတ်ကို အရှိန်မြှင့်ရန်အတွက် အီလက်ထရွန်များကို ခရုပတ်ရန် အားကောင်းသော သံလိုက်များကို အသုံးပြုလုနီးပါးနီးပါး အသုံးပြုထားသည်။
sputtering နှုန်းကိုတိုးမြှင့်။ယေဘူယျအားဖြင့် DC sputtering ကို သတ္တုအပေါ်ယံပိုင်းအတွက် အသုံးပြုပြီး RF communication sputtering ကို conductive မဟုတ်သော ကြွေသံလိုက်ပစ္စည်းများအတွက် အသုံးပြုပါသည်။အခြေခံသဘောတရားမှာ လေဟာနယ်တွင် ပစ်မှတ်၏မျက်နှာပြင်ပေါ်ရှိ အာဂွန် (AR) အိုင်းယွန်းများကို ထိမှန်စေရန် တောက်ပသောအထုတ်လွှတ်မှုကို အသုံးပြုရန်နှင့် ပလာစမာရှိ cations များသည် ပက်ဖျန်းသည့်ပစ္စည်းအဖြစ် အနုတ်လျှပ်ကူးပစ္စည်းမျက်နှာပြင်သို့ အရှိန်မြှင့်သွားမည်ဖြစ်သည်။ဤအကျိုးသက်ရောက်မှုသည် ပစ်မှတ်၏ပစ္စည်းကို လွင့်ထွက်စေပြီး ရုပ်ရှင်တစ်ခုဖန်တီးရန် မြေအောက်စထရိပေါ်တွင် အပ်နှံစေသည်။
ယေဘူယျအားဖြင့်၊ sputtering လုပ်ငန်းစဉ်ကို အသုံးပြု၍ ဖလင် coating ၏ အင်္ဂါရပ်များစွာ ရှိပါသည်။
(၁) သတ္တု၊ သတ္တုစပ် သို့မဟုတ် လျှပ်ကာပစ္စည်းကို ပါးလွှာသော ဖလင်ဒေတာအဖြစ် ပြုလုပ်နိုင်သည်။
(၂) သင့်လျော်သောအခြေအနေများအောက်တွင်၊ တူညီသောဖွဲ့စည်းမှုရှိသောရုပ်ရှင်ကို အများအပြားနှင့် မမှန်သောပစ်မှတ်များမှ ဖန်တီးနိုင်သည်။
(၃) ပစ်မှတ်ပစ္စည်းနှင့် ဓာတ်ငွေ့မော်လီကျူးများ၏ အရောအနှော သို့မဟုတ် ဒြပ်ပေါင်းကို လေထုအတွင်း အောက်ဆီဂျင် သို့မဟုတ် အခြားတက်ကြွသောဓာတ်ငွေ့များ ပေါင်းထည့်ခြင်းဖြင့် ပြုလုပ်နိုင်သည်။
(4) ပစ်မှတ် input current နှင့် sputtering time ကို ထိန်းချုပ်နိုင်ပြီး တိကျမှုမြင့်မားသော ဖလင်အထူကို ရရှိရန် လွယ်ကူသည်။
(၅) အခြားရုပ်ရှင်များ ထုတ်လုပ်ရာတွင် အကျိုးပြုသည်။
(၆) ပြန့်ကျဲနေသော အမှုန်အမွှားများသည် ဆွဲငင်အားဒဏ်ကို မခံနိုင်ဘဲ ပစ်မှတ်နှင့် အလွှာကို လွတ်လပ်စွာ ဖွဲ့စည်းနိုင်သည်။
စာတိုက်အချိန်- မေ ၂၄-၂၀၂၂