ပစ်မှတ်နည်းပညာ၏ အသုံးချပလီကေးရှင်းနှင့် နိယာမအကြောင်း၊ အချို့သော ဖောက်သည်များသည် RSM နှင့် ပတ်သက်၍ ပိုမိုစိုးရိမ်ရသည့် ဤပြဿနာအတွက် ယခုအခါ နည်းပညာဆိုင်ရာ ကျွမ်းကျင်သူများသည် သက်ဆိုင်သည့် ဗဟုသုတအချို့ကို မျှဝေကြသည်။
Sputtering ပစ်မှတ်လျှောက်လွှာ
အားသွင်းအမှုန်များ (ဥပမာ အာဂွန်အိုင်းယွန်းများကဲ့သို့) သည် အစိုင်အခဲမျက်နှာပြင်ကို ဗုံးကြဲပြီး အက်တမ်များ၊ မော်လီကျူးများ သို့မဟုတ် အစုအဝေးများကဲ့သို့သော မျက်နှာပြင်အမှုန်များကို “sputtering” ဟုခေါ်သော အရာဝတ္ထု၏မျက်နှာပြင်မှ လွတ်မြောက်စေသည်။magnetron sputtering coating တွင်၊ အာဂွန် အိုင်ယွန်ပြုန်းတီးမှုမှ ထုတ်ပေးသော အပြုသဘောဆောင်သော အိုင်းယွန်းများကို အများအားဖြင့် အစိုင်အခဲ (ပစ်မှတ်) ကို ဗုံးခွဲရန်အတွက် အသုံးပြုကြပြီး၊ sputtered neutral atom များကို အလွှာ (workpiece) တွင် ဖလင်အလွှာတစ်ခုအဖြစ် တည်ဆောက်သည်။Magnetron sputtering coating တွင် "နိမ့်သောအပူချိန်" နှင့် "အမြန်" လက္ခဏာနှစ်ခုရှိသည်။
Magnetron sputtering နိယာမ
ပစ်မှတ်ဝင်ရိုးစွန်း (cathode) နှင့် anode ကြားတွင် ထောင့်မှန်သံလိုက်စက်ကွင်းနှင့် လျှပ်စစ်စက်ကွင်းကို ပေါင်းထည့်ထားပြီး လိုအပ်သော inert gas (များသောအားဖြင့် Ar gas) ကို မြင့်မားသောလေဟာနယ်ခန်းတွင် ဖြည့်ပါသည်။အမြဲတမ်းသံလိုက်သည် ပစ်မှတ်ပစ္စည်း၏မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် 250-350 Gauss သံလိုက်စက်ကွင်းကိုဖွဲ့စည်းကာ ဗို့အားမြင့်လျှပ်စစ်စက်ကွင်းဖြင့် orthogonal electromagnetic field ကိုဖွဲ့စည်းသည်။
လျှပ်စစ်စက်ကွင်း၏ လုပ်ဆောင်ချက်အောက်တွင်၊ Ar ဓာတ်ငွေ့သည် အပြုသဘောဆောင်သော အိုင်းယွန်းများနှင့် အီလက်ထရွန်များအဖြစ်သို့ အိုင်ယွန်းကာ၊ ပစ်မှတ်အပေါ်တွင် အနုတ်လက္ခဏာ မြင့်မားသောဖိအားတစ်ခု ရှိနေသောကြောင့် ပစ်မှတ်ဝင်ရိုးမှ ထုတ်လွှတ်သော အီလက်ထရွန်များသည် သံလိုက်စက်ကွင်းနှင့် လုပ်ဆောင်မှု၏ အိုင်ယွန်ဖြစ်နိုင်ခြေတို့ကြောင့် သက်ရောက်မှုရှိသည်။ ဓာတ်ငွေ့တိုးလာသည်။High-density plasma သည် cathode အနီးတွင် ဖွဲ့စည်းထားပြီး Ar ions သည် Lorentz force ၏ လုပ်ဆောင်ချက်အောက်တွင် ပစ်မှတ်မျက်နှာပြင်သို့ အရှိန်မြှင့်ကာ ပစ်မှတ်မျက်နှာပြင်ကို အရှိန်ပြင်းပြင်းဖြင့် ဗုံးကြဲခြင်းကြောင့် ပစ်မှတ်ရှိ sputtered atom များသည် ပစ်မှတ်မျက်နှာပြင်မှ မြင့်မားစွာ လွတ်မြောက်စေရန်၊ အရွေ့စွမ်းအင်နှင့် အရှိန်အဟုန်ပြောင်းလဲခြင်း နိယာမအရ ဖလင်တစ်ခုဖွဲ့စည်းရန် အလွှာဆီသို့ ပျံသန်းသည်။
Magnetron sputtering ကို ယေဘုယျအားဖြင့် DC sputtering နှင့် RF sputtering ဟူ၍ နှစ်မျိုးခွဲထားသည်။DC sputtering equipment ၏ နိယာမသည် ရိုးရှင်းပြီး သတ္တုကို sputtering လုပ်သောအခါတွင် မြန်သည်။RF sputtering ကိုအသုံးပြုခြင်းသည် sputtering conductive material များအပြင် sputtering non-conductive material များအပြင် အောက်ဆိုဒ်၊ nitrides နှင့် carbides နှင့် အခြားဒြပ်ပေါင်းပစ္စည်းများ၏ ဓာတ်ပြုမှု sputtering ပြင်ဆင်မှုလည်း ပိုမိုကျယ်ပြန့်ပါသည်။RF ကြိမ်နှုန်း တိုးလာပါက၊ ၎င်းသည် microwave plasma sputtering ဖြစ်လာသည်။လက်ရှိတွင်၊ အီလက်ထရွန် cyclotron resonance (ECR) အမျိုးအစား microwave plasma sputtering ကို အသုံးများသည်။
စာတိုက်အချိန်- သြဂုတ်-၀၁-၂၀၂၂