Binding Backboard လုပ်ငန်းစဉ်-
၁။ စည်းနှောင်ခြင်းဆိုသည်မှာ အဘယ်နည်း။ပစ်မှတ်ကို အနောက်ပစ်မှတ်သို့ ဂဟေဆော်ရန် ဂဟေဆော်သည့်ပစ္စည်းကို အသုံးပြုခြင်းအား ရည်ညွှန်းသည်။အဓိကနည်းလမ်းသုံးမျိုးရှိပါတယ်- crimping, brazing, နှင့် conductive ကော်။ပစ်မှတ်စည်းနှောင်ခြင်းကို အများအားဖြင့် အသုံးပြုကြပြီး In၊ Sn နှင့် Sn တို့တွင် အများအားဖြင့် brazing ပစ္စည်းများ ပါဝင်သည်။ယေဘုယျအားဖြင့်၊ ပျော့ပျောင်းသောဘရာစီယာပစ္စည်းများကိုအသုံးပြုသောအခါ၊ sputtering power သည် 20W/cm2 ထက်နည်းရန်လိုအပ်သည်။
2、 အဘယ်ကြောင့် ချည်နှောင်ခြင်း 1။ အပူပေးနေစဉ်အတွင်း ပစ်မှတ်ပစ္စည်းများ မညီမညာ ကွဲထွက်ခြင်းကို ကာကွယ်ရန်၊ ITO၊ SiO2၊ ကြွေထည်များ၊ နှင့် မီးရှို့ထားသော ပစ်မှတ်များကဲ့သို့သော ကြွပ်ဆတ်သော ပစ်မှတ်များ၊2. * * * သိမ်းဆည်းပြီး ပုံပျက်ခြင်းကို ကာကွယ်ပါ။ပစ်မှတ်ပစ္စည်းသည် အလွန်စျေးကြီးပါက၊ ၎င်းကို ပိုမိုပါးလွှာစေပြီး ပုံပျက်ခြင်းကို ကာကွယ်ရန် နောက်ဘက်ပစ်မှတ်သို့ ချည်နှောင်နိုင်သည်။
3、 နောက်ကျောပစ်မှတ်ရွေးချယ်ခြင်း- 1. Rich Special Materials Co., Ltd. သည် ကောင်းသောလျှပ်ကူးနိုင်သော အောက်ဆီဂျင်မပါသောကြေးနီကို အများအားဖြင့် အသုံးပြုကြပြီး အောက်ဆီဂျင်မပါသောကြေးနီ၏အပူစီးကူးမှုသည် အနီရောင်ကြေးနီထက် သာလွန်ကောင်းမွန်ပါသည်။2. အထူသည် အလယ်အလတ်ဖြစ်ပြီး အနောက်ပစ်မှတ်အထူမှာ 3mm ရှိရန် ယေဘုယျအားဖြင့် အကြံပြုထားသည်။ထူလွန်း၍ သံလိုက်စွမ်းအားကို စားသုံးခြင်း၊ပိန်လွန်း၍ ပုံပျက်လွယ်သည်။
4、 စည်းနှောင်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ် 1. ချည်နှောင်ခြင်းမပြုမီ ပစ်မှတ်ပစ္စည်း၏မျက်နှာပြင်နှင့် နောက်ကျောကို ကြိုတင်ကုသပါ။2. ပစ်မှတ်ပစ္စည်းနှင့် နောက်ပစ်မှတ်ကို brazing platform ပေါ်တွင်ထားကာ အပူချိန်ကို binding temperature သို့မြှင့်ပါ။3. ပစ်မှတ်ပစ္စည်းနှင့် နောက်ပြန်ပစ်မှတ်ကို ပြည့်ဝအောင်ပြုလုပ်ပါ။4. ပစ်မှတ်ပစ္စည်းနှင့် နောက်ပစ်မှတ်ကို ချည်နှောင်ပါ။5. အအေးခံပြီး စီမံဆောင်ရွက်ပေးခြင်း။
5၊ ချည်ထားသောပစ်မှတ်များကိုအသုံးပြုခြင်းအတွက်သတိထားချက်များ- 1. sputtering temperature သည် အလွန်မြင့်မားမနေသင့်ပါ။2. လက်ရှိ ဖြည်းဖြည်းချင်း တိုးသင့်သည်။3. လည်ပတ်နေသော အအေးခံရေသည် 35 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်အောက်တွင် ရှိသင့်သည်။4. သင့်တော်သော ပစ်မှတ်သိပ်သည်းဆ
6၊ နောက်ဘက်ပန်းကန်ကို ခွာရခြင်းအကြောင်းရင်းမှာ sputtering temperature မြင့်မားပြီး နောက်ပစ်မှတ်သည် oxidation နှင့် warping ဖြစ်နိုင်သည်။ပစ်မှတ်သည် အပူချိန်မြင့်သော sputtering လုပ်နေစဉ်အတွင်း အက်ကွဲမည်ဖြစ်ပြီး နောက်ပစ်မှတ်ကို ဖယ်ထုတ်ပစ်လိုက်သည်။2. လျှပ်စီးကြောင်းသည် မြင့်မားပြီး အပူကူးယူမှုသည် မြန်ဆန်လွန်းသဖြင့် အပူချိန်မြင့်မားပြီး ဂဟေကို အရည်ပျော်သွားစေကာ နောက်ဘက်ပစ်မှတ်၏ မညီမညာသော ဂဟေဆော်ခြင်းနှင့် ကွဲထွက်ခြင်းတို့ကို ဖြစ်စေသည်။3. လည်ပတ်နေသော အအေးရေ၏ ထွက်ပေါက်၏ အပူချိန်သည် 35 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်ထက် နိမ့်သင့်ပြီး လည်ပတ်နေသော ရေ၏ မြင့်မားသော အပူချိန်သည် အပူများ စိမ့်ထွက်ခြင်းနှင့် တွယ်ကပ်မှု အားနည်းစေပါသည်။4. ပစ်မှတ်ပစ္စည်း၏သိပ်သည်းဆသည် ပစ်မှတ်ပစ္စည်း၏သိပ်သည်းဆအလွန်မြင့်မားသောအခါ၊ ၎င်းသည် စုပ်ယူရန်မလွယ်ကူ၊ ကွက်လပ်မရှိသည့်အပြင် နောက်ပစ်မှတ်သည် ပြုတ်ကျရန်လွယ်ကူသည်။
တင်ချိန်- အောက်တိုဘာ ၁၂-၂၀၂၃