ပစ်မှတ်သည် သက်ရောက်မှုများစွာရှိပြီး စျေးကွက်ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်ရေးနေရာသည် ကြီးမားသည်။နယ်ပယ်များစွာတွင် အလွန်အသုံးဝင်သည်။အသစ်သော sputtering ကိရိယာအားလုံးနီးပါးသည် ပစ်မှတ်နှင့် အာဂွန်အိုင်းယွန်းများကြားတွင် တိုက်မိမှုဖြစ်နိုင်ခြေကို တိုးမြင့်လာစေပြီး ပစ်မှတ်တစ်ဝိုက်တွင် အာဂွန်၏ အိုင်ယွန်အိုင်းယွန်းကို အရှိန်မြှင့်ရန်အတွက် ခရုပတ်အီလက်ထရွန်များဆီသို့ အားကောင်းသော သံလိုက်များကို အသုံးပြုထားသည်။ယခု ဖုန်စုပ်စက်တွင် sputtering ပစ်မှတ်၏ အခန်းကဏ္ဍကို ကြည့်ကြပါစို့။
sputtering နှုန်းကို မြှင့်တင်ပါ။ယေဘူယျအားဖြင့် DC sputtering ကို သတ္တုအပေါ်ယံပိုင်းအတွက် အသုံးပြုပြီး RF AC sputtering ကို conductive မဟုတ်သော ကြွေသံလိုက်ပစ္စည်းများအတွက် အသုံးပြုပါသည်။အခြေခံသဘောတရားမှာ လေဟာနယ်တွင် ပစ်မှတ်၏မျက်နှာပြင်ပေါ်ရှိ အာဂွန် (AR) အိုင်းယွန်းများကို ထိမှန်စေရန် တောက်ပသောအထုတ်လွှတ်မှုကို အသုံးပြုရန်နှင့် ပလာစမာရှိ cations များသည် ပက်ဖျန်းသည့်ပစ္စည်းအဖြစ် အနုတ်လျှပ်ကူးပစ္စည်းမျက်နှာပြင်သို့ အရှိန်မြှင့်သွားမည်ဖြစ်သည်။ဤအကျိုးသက်ရောက်မှုသည် ပစ်မှတ်၏ပစ္စည်းကို လွင့်ထွက်စေပြီး ရုပ်ရှင်တစ်ခုဖန်တီးရန် မြေအောက်စထရိပေါ်တွင် အပ်နှံစေသည်။
ယေဘူယျအားဖြင့်ပြောရလျှင်၊ sputtering လုပ်ငန်းစဉ်ဖြင့် ဖလင် coating ၏ သွင်ပြင်လက္ခဏာများစွာ ရှိသည်- (၁) သတ္တု၊ သတ္တုစပ် သို့မဟုတ် insulator ကို ရုပ်ရှင်ဒေတာအဖြစ် ဖန်တီးနိုင်သည်။
(၂) သင့်လျော်သောအခြေအနေများအောက်တွင်၊ တူညီသောဖွဲ့စည်းမှုရှိသောရုပ်ရှင်ကို အများအပြားနှင့် မမှန်သောပစ်မှတ်များမှ ဖန်တီးနိုင်သည်။
(၃) ပစ်မှတ်ပစ္စည်းနှင့် ဓာတ်ငွေ့မော်လီကျူးများ၏ အရောအနှော သို့မဟုတ် ဒြပ်ပေါင်းကို လေထုအတွင်း အောက်ဆီဂျင် သို့မဟုတ် အခြားတက်ကြွသောဓာတ်ငွေ့များ ပေါင်းထည့်ခြင်းဖြင့် ထုတ်လုပ်နိုင်သည်။
(4) ပစ်မှတ် input current နှင့် sputtering time ကို ထိန်းချုပ်နိုင်ပြီး တိကျမှုမြင့်မားသော ဖလင်အထူကို ရရှိရန် လွယ်ကူသည်။
(၅) အခြားသော လုပ်ငန်းစဉ်များနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက ကြီးမားသော ဧရိယာ ယူနီဖောင်း ရုပ်ရှင်များ ထုတ်လုပ်ရန် အထောက်အကူ ဖြစ်စေပါသည်။
(၆) ပြန့်ကျဲနေသော အမှုန်များသည် ဆွဲငင်အားကြောင့် ထိခိုက်လုနီးပါးဖြစ်ပြီး ပစ်မှတ်နှင့် အလွှာ၏ အနေအထားများကို လွတ်လပ်စွာ စီစဉ်နိုင်သည်။
စာတိုက်အချိန်- မေ ၁၇-၂၀၂၂