sputtering ပစ်မှတ်ဆိုသည်မှာ သတ္တုစပ် သို့မဟုတ် သတ္တုအောက်ဆိုဒ်ကဲ့သို့ အရာဝတ္ထုတစ်ခုအား အက်တမ်အဆင့်ရှိ အီလက်ထရွန်နစ်အလွှာတစ်ခုသို့ ချိတ်ဆက်ခြင်းဖြင့် ပါးလွှာသော ဖလင်တစ်ခုအဖြစ် ဖန်တီးသည့် အီလက်ထရွန်နစ်ပစ္စည်းဖြစ်သည်။၎င်းတို့အနက်မှ၊ အနက်ရောင်ဖလင်အတွက် sputtering ပစ်မှတ်ကို ဝိုင်ယာကြိုးများကို မည်းမှောင်စေပြီး TFT ဝါယာကြိုးများ၏ မြင်နိုင်သောအလင်းရောင်ပြန်ဟပ်မှု (နိမ့်သောရောင်ပြန်ဟပ်မှု) ကို လျှော့ချရန်အတွက် အော်ဂဲနစ် EL သို့မဟုတ် အရည်ပုံဆောင်ခဲအကန့်တွင် ဖလင်တစ်ခုဖွဲ့စည်းရန် အသုံးပြုသည်။Sputter ပစ်မှတ်တွင် အောက်ပါ အားသာချက်များနှင့် သက်ရောက်မှုများရှိသည်။ယခင်ထုတ်ကုန်များနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက၊ ၎င်းသည် အမျိုးမျိုးသော ဖန်သားပြင်များ၏ လွတ်လပ်မှုနှင့် ဒီဇိုင်းလွတ်လပ်မှုတို့ကို မြင့်မားတိုးတက်စေပြီး တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းနှင့်ဆိုင်သော ထုတ်ကုန်များ၏ ဝါယာကြိုးများဖြင့် ရောင်ပြန်ဟပ်သည့်အလင်းရောင်ကြောင့် ဖြစ်ပေါ်လာသော ဆူညံသံများကို လျှော့ချပေးပါသည်။
အလူမီနီယံပစ်မှတ်၏ အားသာချက်များနှင့် သက်ရောက်မှုများ
(၁) ဝါယာကြိုးပေါ်တွင် အလူမီနီယံပစ်မှတ်ကို ဖွဲ့စည်းပြီးနောက် မြင်နိုင်သောအလင်းရောင်ကို လျှော့ချနိုင်သည်။
ယခင်ထုတ်ကုန်များနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက အလင်းပြန်မှု နည်းပါးသည်။
(၂) DC sputtering သည် ဓာတ်ငွေ့မပါဘဲ လုပ်ဆောင်နိုင်သည်။
ယခင်ထုတ်ကုန်များနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက ကြီးမားသောအလွှာများ၏ ဖလင်တစ်သားတည်းဖြစ်မှုကို သိရှိနားလည်ရန် အထောက်အကူဖြစ်စေပါသည်။
(၃) ဖလင်ဖွဲ့စည်းပြီးနောက်၊ ကြိုးများဖြင့် ထွင်းထုခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်ကို လုပ်ဆောင်နိုင်သည်။
ဖောက်သည်၏ ရှိရင်းစွဲ ထွင်းထုခြင်း လုပ်ငန်းစဉ်အတိုင်း ပစ္စည်းကို ချိန်ညှိပြီး ရှိပြီးသား လုပ်ငန်းစဉ်ကို မပြောင်းလဲဘဲ ဝါယာကြိုးဖြင့် ထုလုပ်နိုင်သည်။ထို့အပြင်၊ ကုမ္ပဏီသည်ဖောက်သည်များ၏ sputtering အခြေအနေများအလိုက်ပံ့ပိုးမှုပေးလိမ့်မည်။
(၄) အပူဒဏ်၊ ရေနှင့် အယ်လကာလီ ခုခံမှု အထူးကောင်းမွန်သည်။
ရေခံနိုင်ရည်နှင့် အယ်လကာလီခံနိုင်ရည်အပြင်၊ ၎င်းသည် မြင့်မားသောအပူဒဏ်ကိုလည်း ခံနိုင်ရည်ရှိသောကြောင့် TFT ဝါယာကြိုးလုပ်ဆောင်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်တွင် ရုပ်ရှင်၏ဝိသေသလက္ခဏာများသည် ပြောင်းလဲမည်မဟုတ်ပါ။
တင်ချိန်- သြဂုတ်-၁၀-၂၀၂၂