အားလုံးသိကြသည့်အတိုင်း လေဟာနယ်တွင် အသုံးများသောနည်းလမ်းများမှာ ဖုန်စုပ်စက်နှင့် အိုင်းယွန်း sputtering တို့ဖြစ်သည်။transpiration coating နဲ့ sputtering coating တော်တော်များများ ကွာခြားချက်က ဘာလဲ။လူတွေ ထိုသို့သောမေးခွန်းများရှိသည်။transpiration coating နှင့် sputtering coating တို့၏ ခြားနားချက်ကို သင့်အား မျှဝေကြပါစို့
Vacuum Transpiration Film သည် 10-2Pa ထက်မနည်းသော လေဟာနယ်တွင် အပူချိန် 10-2Pa ထက်မနည်းသော ပတ်ဝန်းကျင်တွင် ခုခံအပူပေးခြင်း သို့မဟုတ် အီလက်ထရွန်ရောင်ခြည်နှင့် လေဆာအခွံများဖြင့် ဒေတာကို ပုံသေအပူချိန်သို့ ကူးပြောင်းစေရန် အပူပေးခြင်း၊ ဒေတာများတွင် အက်တမ်များသည် မျက်နှာပြင်၏ ပေါင်းစပ်စွမ်းအင်ထက် ကျော်လွန်နေသောကြောင့် မော်လီကျူးများ သို့မဟုတ် အက်တမ်များ အများအပြား ပေါက်ထွက်ခြင်း သို့မဟုတ် တိုးလာကာ ၎င်းတို့ကို ရုပ်ရှင်အဖြစ် ဖန်တီးရန် မြေအောက်လွှာပေါ်တွင် တိုက်ရိုက်ထည့်သည်။အိုင်းယွန်း sputtering coating သည် လျှပ်စစ်စက်ကွင်း၏အကျိုးသက်ရောက်မှုအောက်တွင် ဓာတ်ငွေ့ထုတ်လွှတ်မှုမှ ထုတ်ပေးသည့် အပြုသဘောဆောင်သော အိုင်းယွန်းများ၏ မြင့်မားသောလှုပ်ရှားမှုကို အသုံးပြု၍ cathode အဖြစ် ပစ်မှတ်ကို ဗုံးကြဲရန်၊ သို့မှသာ ပစ်မှတ်ရှိ အက်တမ် သို့မဟုတ် မော်လီကျူးများ လွတ်ထွက်သွားပြီး ချထားသော workpiece ၏ မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် စုပုံလာစေရန်၊ လိုအပ်သောရုပ်ရှင်။
Vacuum Transpiration Coating ၏ အသုံးအများဆုံးနည်းလမ်းမှာ resistance heating method ဖြစ်သည်။၎င်း၏အားသာချက်များမှာ အပူအရင်းအမြစ်၏ရိုးရှင်းသောဖွဲ့စည်းပုံ၊ ကုန်ကျစရိတ်သက်သာပြီး အဆင်ပြေသောလည်ပတ်မှုဖြစ်သည်။၎င်း၏ အားနည်းချက်မှာ ရုန်းအားသတ္တုများနှင့် အပူချိန်မြင့်မားသော ခံနိုင်ရည်ရှိသော မီဒီယာများအတွက် မသင့်လျော်ပါ။အီလက်ထရွန်ရောင်ခြည် အပူပေးခြင်းနှင့် လေဆာအပူပေးခြင်းတို့သည် ခံနိုင်ရည်ရှိ အပူပေးခြင်း၏ အားနည်းချက်များကို ကျော်လွှားနိုင်သည်။အီလက်ထရွန် အလင်းတန်း အပူပေးခြင်းတွင်၊ အာရုံခံ အီလက်ထရွန် အလင်းတန်းကို အခွံပါ ဒေတာကို တိုက်ရိုက် အပူပေးရန်အတွက် အသုံးပြုပြီး အီလက်ထရွန် အလင်းတန်း၏ အရွေ့စွမ်းအင်သည် ဒေတာ ပျံ့နှံ့စေရန် အပူစွမ်းအင် ဖြစ်လာသည်။လေဆာအပူပေးခြင်းသည် စွမ်းအားမြင့်လေဆာကို အပူပေးသည့်ရင်းမြစ်အဖြစ် အသုံးပြုသော်လည်း ပါဝါမြင့်မားသောလေဆာ၏ ကုန်ကျစရိတ်မြင့်မားမှုကြောင့် သုတေသနဓာတ်ခွဲခန်းအနည်းငယ်တွင်သာ အသုံးပြုနိုင်သည်။
Sputtering Skill သည် Vacuum Transpiration Skill နှင့် ကွဲပြားသည်။Sputtering ဆိုသည်မှာ အက်တမ် သို့မဟုတ် မော်လီကျူးများကို မျက်နှာပြင်မှ အစိုင်အခဲ အက်တမ်များ သို့မဟုတ် မော်လီကျူးများ မျက်နှာပြင်မှ ထုတ်လွှတ်ခြင်းအား ခန္ဓာကိုယ်၏ မျက်နှာပြင် (ပစ်မှတ်) သို့ ပြန်လည် ပေါက်ကွဲစေသည့် ဖြစ်စဉ်ကို ရည်ညွှန်းသည်။ထုတ်လွှတ်သော အမှုန်အများစုသည် အက်တမ်များဖြစ်ပြီး မကြာခဏ sputtered atoms ဟုခေါ်သည်။ပစ်မှတ်များကို ပစ်မှတ်အတွက် အသုံးပြုသော Sputtered particles များသည် အီလက်ထရွန်၊ အိုင်းယွန်း သို့မဟုတ် ကြားနေအမှုန်များ ဖြစ်နိုင်သည်။အိုင်းယွန်းများသည် လျှပ်စစ်စက်ကွင်းအောက်တွင် လိုအပ်သော အရွေ့စွမ်းအင်ကို ရရှိရန် လွယ်ကူသောကြောင့်၊ အိုင်းယွန်းများကို အခွံခွာအမှုန်များအဖြစ် အများအားဖြင့် ရွေးချယ်ကြသည်။
sputtering process သည် glow discharge ကို အခြေခံ၍ ဆိုလိုသည်မှာ sputtering ions များသည် gas discharge မှ ဆင်းသက်လာခြင်းဖြစ်သည်။မတူညီသော sputtering ကျွမ်းကျင်မှုတွင် မတူညီသော glow discharge နည်းလမ်းများရှိသည်။DC diode sputtering သည် DC glow discharge ကိုအသုံးပြုသည်။Triode sputtering သည် ပူသော cathode မှ ပံ့ပိုးပေးသော တောက်ပသော ထွက်လာခြင်း ဖြစ်သည်။RF sputtering သည် RF glow discharge ကိုအသုံးပြုသည်။Magnetron sputtering သည် annular magnetic field မှ ထိန်းချုပ်ထားသော တောက်ပသော ထွက်လာခြင်း ဖြစ်သည်။
Vacuum Transpiration Coating နှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက Sputtering Coating တွင် အားသာချက်များစွာရှိပါသည်။အရည်ပျော်မှတ်နှင့် အငွေ့ဖိအားနည်းသော ဒြပ်စင်များ အထူးသဖြင့် ဒြပ်စင်များနှင့် ဒြပ်ပေါင်းများကို sputtered ဖြစ်နိုင်လျှင်၊sputtered film နှင့် substrate အကြား တွယ်တာမှုကောင်းသည်။မြင့်မားသောရုပ်ရှင်သိပ်သည်းဆ;ဖလင်အထူကို ထိန်းထားနိုင်ပြီး ထပ်တလဲလဲ အားကောင်းသည်။အားနည်းချက်မှာ စက်ပစ္စည်းများသည် ရှုပ်ထွေးပြီး ဗို့အားမြင့်ကိရိယာများ လိုအပ်သောကြောင့် ဖြစ်သည်။
ထို့အပြင်၊ transpiration method နှင့် sputtering method ပေါင်းစပ်မှုသည် ion plating ဖြစ်သည်။ဤနည်းလမ်း၏ အားသာချက်များမှာ ဖလင်နှင့် အလွှာကြားတွင် ခိုင်ခံ့သော တွယ်တာမှု၊ သိုလှောင်မှုနှုန်း မြင့်မားခြင်းနှင့် ဖလင်၏ သိပ်သည်းဆမြင့်မားခြင်း တို့ဖြစ်သည်။
စာတိုက်အချိန်- မေလ-၀၉-၂၀၂၂