လူတို့၏လူနေမှုအဆင့်အတန်း တိုးတက်လာမှုနှင့် သိပ္ပံနှင့်နည်းပညာများ စဉ်ဆက်မပြတ် ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်လာမှုနှင့်အတူ၊ လူများသည် ဝတ်ဆင်ခံနိုင်ရည်၊ ချေးခံနိုင်ရည်ရှိမှုနှင့် အပူချိန်မြင့်မားသော အလှဆင် coating coating ထုတ်ကုန်များ၏ စွမ်းဆောင်ရည်အတွက် ပိုမိုမြင့်မားသောလိုအပ်ချက်များရှိသည်။မှန်ပါသည်၊ အပေါ်ယံသည် ဤအရာဝတ္ထုများ၏ အရောင်ကိုလည်း လှပစေနိုင်သည်။ထို့နောက် electroplating ပစ်မှတ်နှင့် sputtering ပစ်မှတ်ကို ကုသခြင်းအကြား ကွာခြားချက်မှာ အဘယ်နည်း။RSM နည်းပညာဌာနမှ ကျွမ်းကျင်သူများကို သင့်အတွက် ရှင်းပြပါစေ။
လျှပ်စစ်ပလပ်စတစ်ပစ်မှတ်
electroplating ၏နိယာမသည် electrolytic refining copper နှင့်ကိုက်ညီသည်။electroplating လုပ်သောအခါ၊ ပလပ်စတစ်အလွှာ၏သတ္တုအိုင်းယွန်းများပါရှိသော electrolyte ကို ယေဘုယျအားဖြင့် plating solution ကိုပြင်ဆင်ရန်အတွက်အသုံးပြုသည်။သတ္တုပစ္စည်းကို ပလပ်စတစ်ဖြေရှင်းချက်တွင် ချထားသည့် လျှပ်ကူးပစ္စည်းနှင့် ချိတ်ဆက်ကာ cathode အဖြစ် DC ပါဝါထောက်ပံ့မှု၏ အနုတ်လျှပ်ကူးပစ္စည်းနှင့် ချိတ်ဆက်ခြင်း၊coated metal ကို anode အဖြစ်အသုံးပြုပြီး DC power supply ၏ positive electrode နှင့် ချိတ်ဆက်ထားသည်။ဗို့အားနိမ့် DC လျှပ်စီးကြောင်းကို အသုံးပြုသောအခါ၊ အန်နိုဒီယမ်သည် ဖြေရှင်းချက်တွင် ပျော်ဝင်ကာ အိုင်ယိုင်ရှင်းဖြစ်လာကာ cathode သို့ ရွေ့လျားသည်။ဤအိုင်းယွန်းများသည် cathode တွင် အီလက်ထရွန်များရရှိပြီး သတ္တုအဖြစ်သို့ လျော့ကျသွားကာ သတ္တုပစ္စည်းများပေါ်တွင် ဖုံးအုပ်ထားသည်။
Sputtering ပစ်မှတ်
နိယာမမှာ အဓိကအားဖြင့် ပစ်မှတ်မျက်နှာပြင်ပေါ်ရှိ အာဂွန်အိုင်းယွန်းများကို ဗုံးကြဲရန်အတွက် glow discharge ကိုအသုံးပြုရန်ဖြစ်ပြီး ပစ်မှတ်၏အက်တမ်များကို ပါးလွှာသောဖလင်တစ်ခုအဖြစ် ဖန်တီးရန် အလွှာလွှာမျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် ထားရှိပါသည်။sputtered films ၏ ဂုဏ်သတ္တိနှင့် တူညီမှုသည် အခိုးအငွေ့ထည့်ထားသော ရုပ်ရှင်များထက် ပိုကောင်းသည်၊ သို့သော် အခိုးအငွေ့ထွက်သော ရုပ်ရှင်များထက် ထုတ်ယူမှုနှုန်းသည် များစွာနှေးကွေးပါသည်။အသစ်သော sputtering ကိရိယာများသည် ပစ်မှတ်တစ်ဝိုက်ရှိ အာဂွန်၏ အိုင်ယွန်အိုင်းယွန်းကို အရှိန်မြှင့်ရန်အတွက် ခရုပတ်ပတ်ထားသော အီလက်ထရွန်များကို ခိုင်ခံ့သော သံလိုက်များကို အသုံးပြုလုနီးပါးဖြစ်ပြီး ပစ်မှတ်နှင့် အာဂွန်အိုင်းယွန်းကြား တိုက်မိမှုဖြစ်နိုင်ခြေကို တိုးမြင့်စေပြီး sputtering rate ကို ပိုမိုကောင်းမွန်စေသည်။သတ္တုဖြင့်ပြုလုပ်ထားသော ရုပ်ရှင်အများစုသည် DC sputtering ဖြစ်ပြီး၊ conductive မဟုတ်သော ကြွေသံလိုက်ပစ္စည်းများမှာ RF AC sputtering ဖြစ်သည်။အခြေခံနိယာမမှာ ပစ်မှတ်၏မျက်နှာပြင်ကို အာဂွန်အိုင်းယွန်းများဖြင့် ဗုံးကြဲရန်အတွက် လေဟာနယ်တွင် တောက်ပသောအထုတ်လွှတ်မှုကို အသုံးပြုရန်ဖြစ်သည်။ပလာစမာရှိ cations များသည် sputtered material အဖြစ် negative electrode မျက်နှာပြင်ဆီသို့ အလျင်အမြန်ရောက်ရှိသွားမည်ဖြစ်သည်။ဤဗုံးကြဲမှုသည် ပစ်မှတ်ကို ပျံထွက်သွားစေပြီး ပါးလွှာသော ဖလင်တစ်ခုအဖြစ် အလွှာတစ်ခုပေါ်တွင် မြှုပ်နှံစေသည်။
ပစ်မှတ်ပစ္စည်းများ၏ရွေးချယ်မှုစံနှုန်း
(၁) ဖလင်ဖွဲ့စည်းမှုပြီးနောက် ပစ်မှတ်သည် စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ခိုင်ခံ့မှုနှင့် ဓာတုဗေဒ တည်ငြိမ်မှု ရှိသင့်သည်။
(၂) ဓာတ်ပြုမှုပစ္စတာတင်ရုပ်ရှင်အတွက် ဖလင်ပစ္စည်းသည် ဓါတ်ငွေ့ဖြင့် ဒြပ်ပေါင်းဖလင်အဖြစ် လွယ်ကူစွာဖွဲ့စည်းနိုင်ရမည်။
(၃) ပစ်မှတ်နှင့် အလွှာကို ခိုင်မြဲစွာ စုစည်းထားရမည်ဖြစ်ပြီး၊ သို့မဟုတ်ပါက၊ အလွှာနှင့် ပေါင်းစည်းထားသော အားကောင်းသည့် ဖလင်ပစ္စည်းကို လက်ခံရရှိမည်ဖြစ်ပြီး၊ အောက်ဖလင်ကို ဦးစွာ ရေဖျပ်ထားရမည်ဖြစ်ပြီး၊ ထို့နောက် လိုအပ်သော ဖလင်အလွှာကို ပြင်ဆင်ရမည်ဖြစ်သည်။
(4) ရုပ်ရှင်စွမ်းဆောင်ရည်လိုအပ်ချက်များကို ဖြည့်ဆည်းခြင်း၏အထွတ်အထိပ်တွင်၊ ပစ်မှတ်နှင့်အလွှာ၏အပူချဲ့ကိန်းကြား သေးငယ်လေ၊ sputtered ဖလင်၏အပူဖိစီးမှုလွှမ်းမိုးမှုကို လျှော့ချရန်အတွက် ပိုမိုကောင်းမွန်ပါသည်။
(၅) ရုပ်ရှင်၏ အသုံးချမှုနှင့် စွမ်းဆောင်ရည် လိုအပ်ချက်များအရ၊ အသုံးပြုထားသော ပစ်မှတ်သည် သန့်ရှင်းမှု၊ အညစ်အကြေးပါဝင်မှု၊ အစိတ်အပိုင်း တူညီမှု၊ စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ တိကျမှုစသည်ဖြင့် နည်းပညာဆိုင်ရာ လိုအပ်ချက်များနှင့် ကိုက်ညီရမည်။
စာတိုက်အချိန်- သြဂုတ်-၁၂-၂၀၂၂