ကျွန်ုပ်တို့အားလုံးသိကြသည့်အတိုင်း၊ ပစ်မှတ်ပစ္စည်းနည်းပညာ၏ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုလမ်းကြောင်းသည် ရေအောက်အပလီကေးရှင်းစက်မှုလုပ်ငန်းတွင် ရုပ်ရှင်နည်းပညာဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုလမ်းကြောင်းနှင့် နီးကပ်စွာဆက်စပ်နေသည်။အပလီကေးရှင်းစက်မှုလုပ်ငန်းတွင် ရုပ်ရှင်ထုတ်ကုန်များ သို့မဟုတ် အစိတ်အပိုင်းများ၏ နည်းပညာတိုးတက်မှုနှင့်အတူ၊ ပစ်မှတ်နည်းပညာကိုလည်း ပြောင်းလဲသင့်သည်။ဥပမာအားဖြင့်၊ Ic ထုတ်လုပ်သူများသည် လာမည့်နှစ်အနည်းငယ်အတွင်း မူလအလူမီနီယမ်ဖလင်ကို သိသိသာသာအစားထိုးနိုင်မည်ဟု မျှော်လင့်ထားသည့် ခံနိုင်ရည်နည်းသော ကြေးနီဝါယာကြိုးများကို မကြာသေးမီက အာရုံစိုက်ထားသောကြောင့် ကြေးနီပစ်မှတ်များနှင့် ၎င်းတို့၏လိုအပ်သော အတားအဆီးပစ်မှတ်များ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်ရေးသည် အရေးတကြီး လိုအပ်မည်ဖြစ်သည်။
ထို့အပြင်၊ မကြာသေးမီနှစ်များတွင်၊ flat panel display (FPD) သည် cathode-ray tube (CRT) -based computer display နှင့် tv စျေးကွက်ကို အကြီးအကျယ်အစားထိုးခဲ့သည်။၎င်းသည် ITO ပစ်မှတ်များအတွက် နည်းပညာနှင့် စျေးကွက်လိုအပ်ချက်ကိုလည်း တိုးမြင့်စေမည်ဖြစ်သည်။ပြီးတော့ သိုလှောင်မှုနည်းပညာ ရှိတယ်။သိပ်သည်းဆမြင့်သော၊ ကြီးမားသော စွမ်းရည်ရှိသော ဟာ့ဒ်ဒရိုက်များနှင့် သိပ်သည်းဆမြင့်သော ဖျောက်ဖျက်နိုင်သော ချပ်ပြားများ ၀ယ်လိုအားသည် ဆက်လက်တိုးလာသည်။ဤအရာများအားလုံးသည် အသုံးချလုပ်ငန်းနယ်ပယ်ရှိ ပစ်မှတ်ပစ္စည်းများအတွက် ၀ယ်လိုအားကို ပြောင်းလဲစေသည်။အောက်ဖော်ပြပါတွင်၊ ပစ်မှတ်၏ အဓိကအသုံးချနယ်ပယ်များနှင့် ဤနယ်ပယ်များတွင် ပစ်မှတ်၏ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုလမ်းကြောင်းကို မိတ်ဆက်ပေးပါမည်။
1. Microelectronics
အပလီကေးရှင်းစက်မှုလုပ်ငန်းအားလုံးတွင်၊ ဆီမီးကွန်ဒတ်တာလုပ်ငန်းသည် ပစ်မှတ် sputtering ရုပ်ရှင်များအတွက် အပြင်းထန်ဆုံး အရည်အသွေးသတ်မှတ်ချက်များရှိသည်။12 လက်မ (300 epistaxis) ၏ ဆီလီကွန် wafers များကို ယခု ထုတ်လုပ်လိုက်ပြီဖြစ်သည်။အပြန်အလှန်ချိတ်ဆက်မှု၏ အကျယ်သည် လျော့ကျလာသည်။ပစ်မှတ်ပစ္စည်းများအတွက် ဆီလီကွန် wafer ထုတ်လုပ်သူများ၏ လိုအပ်ချက်များမှာ ကြီးမားသော၊ သန့်ရှင်းမှုမြင့်မားသော၊ ခွဲခြားမှုနည်းသော စပါးစေ့များနှင့် ကောင်းမွန်သော ကောက်နှံများဖြစ်ပြီး၊ ပစ်မှတ်ပစ္စည်းများသည် ပိုမိုကောင်းမွန်သော အသေးစားဖွဲ့စည်းပုံရှိရန် လိုအပ်ပါသည်။ပစ်မှတ်ပစ္စည်း၏ ပုံဆောင်ခဲအမှုန်အချင်းနှင့် တူညီမှုကို ဖလင် အစစ်ခံနှုန်းကို ထိခိုက်စေသည့် အဓိကအချက်များအဖြစ် ယူဆထားသည်။
အလူမီနီယမ်နှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက ကြေးနီသည် 0.25um အောက်ရှိ submicron wiring များတွင် conductor နည်းပညာ၏ လိုအပ်ချက်များကို ဖြည့်ဆည်းပေးနိုင်သော electromobility resistance နှင့် ခံနိုင်ရည်ပိုနိမ့်သည်၊ သို့သော် ၎င်းသည် အခြားပြဿနာများကို သယ်ဆောင်လာပါသည်- ကြေးနီနှင့် အော်ဂဲနစ်အလတ်စားပစ္စည်းများကြားတွင် တွယ်တာမှုအားနည်းသည်။ထို့အပြင်၊ ၎င်းသည်တုံ့ပြန်ရန်လွယ်ကူသည်၊ ၎င်းသည်ကော့ပါးအပြန်အလှန်ဆက်သွယ်မှု၏တိုက်စားမှုနှင့်ချစ်ပ်ကိုအသုံးပြုနေစဉ်အတွင်းပတ်လမ်းပျက်စီးမှုကိုဖြစ်ပေါ်စေသည်။ဤပြဿနာကိုဖြေရှင်းရန်အတွက်၊ ကြေးနီနှင့် dielectric အလွှာကြားတွင် အတားအဆီးအလွှာတစ်ခုထားသင့်သည်။
ကြေးနီအတားအဆီးအလွှာတွင် အသုံးပြုသည့် ပစ်မှတ်ပစ္စည်းများမှာ Ta၊ W၊ TaSi၊ WSi စသည်ဖြင့် ပါဝင်သည်။ သို့သော် Ta နှင့် W တို့သည် သတ္တုဓာတ်များဖြစ်သည်။ပြုလုပ်ရန်အတော်လေးခက်ခဲပြီး molybdenum နှင့် chromium ကဲ့သို့သော သတ္တုစပ်များကို အစားထိုးပစ္စည်းများအဖြစ် လေ့လာလျက်ရှိသည်။
2. ပြသမှုအတွက်
Flat panel display (FPD) သည် cathode-ray tube (CRT)-based computer monitor နှင့် ရုပ်မြင်သံကြားဈေးကွက်ကို နှစ်များတစ်လျှောက် အကျိုးသက်ရောက်ခဲ့ပြီး ITO ပစ်မှတ်ပစ္စည်းများအတွက် နည်းပညာနှင့် စျေးကွက်လိုအပ်ချက်ကိုလည်း တွန်းအားပေးမည်ဖြစ်သည်။ယနေ့ ITO ပစ်မှတ် နှစ်မျိုးရှိသည်။တစ်ခုမှာ sintering ပြီးနောက် indium oxide နှင့် tin oxide အမှုန့်များ၏ nanometer state ကိုအသုံးပြုရန်ဖြစ်ပြီး နောက်တစ်ခုမှာ indium tin alloy target ကိုအသုံးပြုရန်ဖြစ်သည်။ITO ဖလင်ကို indium-tin သတ္တုစပ်ပစ်မှတ်တွင် DC reactive sputtering ဖြင့် ဖန်တီးနိုင်သော်လည်း ပစ်မှတ်မျက်နှာပြင်သည် ဓာတ်တိုးစေပြီး sputtering rate ကို ထိခိုက်စေပြီး အရွယ်အစားကြီးမားသော အလွိုင်းပစ်မှတ်ကို ရရှိရန် ခက်ခဲသည်။
ယခုအချိန်တွင်၊ Magnetron sputtering တုံ့ပြန်မှုဖြင့် sputtering coatingဖြစ်သည့် ITO ပစ်မှတ်ပစ္စည်းထုတ်လုပ်ရန် ပထမနည်းလမ်းကို ယေဘုယျအားဖြင့် လက်ခံကျင့်သုံးကြသည်။၎င်းတွင် လျင်မြန်စွာ အပ်နှံနှုန်းရှိသည်။ဖလင်အထူကို တိကျစွာထိန်းချုပ်နိုင်သည်၊ လျှပ်ကူးနိုင်မှု မြင့်မားသည်၊ ဖလင်၏ လိုက်လျောညီထွေမှု ကောင်းသည်၊ ကြမ်းခင်း၏ ကပ်ငြိမှုအားကောင်းသည်။သို့ရာတွင် အိန္ဒယမ်အောက်ဆိုဒ်နှင့် သံဖြူအောက်ဆိုဒ်တို့သည် အလွယ်တကူ ရောနှော၍မရနိုင်သောကြောင့် ပစ်မှတ်ကို ပြုလုပ်ရန် ခက်ခဲသည်။ယေဘူယျအားဖြင့် ZrO2၊ Bi2O3 နှင့် CeO ကို sintering additives များအဖြစ် ရွေးချယ်ထားပြီး သီအိုရီတန်ဖိုး၏ သိပ်သည်းဆ 93% ~ 98% ရှိသော ပစ်မှတ်ကို ရရှိနိုင်ပါသည်။ဤနည်းဖြင့်ဖွဲ့စည်းထားသော ITO ရုပ်ရှင်၏စွမ်းဆောင်ရည်သည် additives များနှင့်ကောင်းမွန်သောဆက်ဆံရေးရှိသည်။
ထိုသို့သောပစ်မှတ်ပစ္စည်းကိုအသုံးပြုခြင်းဖြင့်ရရှိသော ITO ဖလင်၏ပိတ်ဆို့ခံနိုင်ရည်သည် 8.1 × 10n-cm သို့ရောက်ရှိသည်၊၊ ၎င်းသည် ITO ဖလင်၏ခံနိုင်ရည်နှင့်နီးစပ်သည်။FPD နှင့် conductive glass ၏ အရွယ်အစားသည် အလွန်ကြီးမားပြီး conductive glass ၏ အကျယ်သည် 3133mm ပင် ရှိနိုင်ပါသည်။ပစ်မှတ်ပစ္စည်းများအသုံးပြုမှု တိုးတက်စေရန်အတွက်၊ ဆလင်ဒါပုံသဏ္ဍာန်ကဲ့သို့သော မတူညီသောပုံသဏ္ဍာန်ရှိသော ITO ပစ်မှတ်ပစ္စည်းများကို တီထွင်ခဲ့သည်။2000 ခုနှစ်တွင် အမျိုးသားဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်ရေးစီမံကိန်းကော်မရှင်နှင့် သိပ္ပံနှင့်နည်းပညာဝန်ကြီးဌာနတို့သည် ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုအတွက် အဓိကဦးစားပေးဆောင်ရွက်လျက်ရှိသော သတင်းအချက်အလက်စက်မှုလုပ်ငန်းလမ်းညွှန်ချက်များတွင် ITO ၏ ကြီးမားသောပစ်မှတ်များကို ထည့်သွင်းခဲ့သည်။
3. သိုလှောင်မှုအသုံးပြုခြင်း။
သိုလှောင်မှုနည်းပညာအရ မြင့်မားသောသိပ်သည်းဆနှင့် ကြီးမားသောစွမ်းရည်ရှိသော ဟာ့ဒ်ဒစ်များ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်လာစေရန် အလွန်တွန့်ဆုတ်နေသော ဖလင်ပစ္စည်းများ အများအပြား လိုအပ်ပါသည်။CoF~Cu multilayer composite film သည် ကြီးမားသော တုံ့ဆိုင်းမှုရုပ်ရှင်၏ တွင်ကျယ်စွာအသုံးပြုထားသော တည်ဆောက်ပုံဖြစ်သည်။သံလိုက်ဓာတ်ပြားအတွက် လိုအပ်သော TbFeCo သတ္တုစပ်ပစ်မှတ်ပစ္စည်းသည် ဆက်လက်ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်ဆဲဖြစ်သည်။TbFeCo ဖြင့်ထုတ်လုပ်ထားသော သံလိုက်ဓာတ်ပြားသည် ကြီးမားသောသိုလှောင်မှုစွမ်းရည်၊ တာရှည်ဝန်ဆောင်မှုသက်တမ်းနှင့် ထပ်ခါတလဲလဲ အဆက်အသွယ်မရှိသော ဖျက်နိုင်မှုတို့၏ လက္ခဏာများရှိသည်။
Antimony germanium telluride အခြေခံအဆင့်ပြောင်းလဲမှုမှတ်ဉာဏ် (PCM) သည် သိသာထင်ရှားသော စီးပွားဖြစ်အလားအလာကိုပြသခဲ့ပြီး၊ NOR flash memory အပိုင်းဖြစ်လာပြီး DRAM စျေးကွက်တွင် အစားထိုးသိုလှောင်မှုနည်းပညာတစ်ခုအဖြစ်သို့သော်၊ အကောင်အထည်ဖော်မှုတွင် တည်ရှိနေသည့်လမ်းပေါ်ရှိ စိန်ခေါ်မှုများထဲမှ တစ်ခုကို ပြန်လည်သတ်မှတ်ရန်မရှိခြင်း လက်ရှိထုတ်လုပ်မှုကို လုံး၀ အလုံပိတ်ယူနစ်ကို ထပ်မံလျှော့ချနိုင်သည်။ပြန်လည်သတ်မှတ်ခြင်းလက်ရှိကို လျှော့ချခြင်းသည် မှတ်ဉာဏ်ပါဝါသုံးစွဲမှုကို လျှော့ချပေးကာ ဘက်ထရီသက်တမ်းကို သက်တမ်းတိုးစေကာ ဒေတာဘန်းဝဒ်ကို ပိုမိုကောင်းမွန်စေသည်၊ ယနေ့ခေတ်ဒေတာဗဟိုပြု၊ သယ်ဆောင်ရလွယ်ကူသော သုံးစွဲသူစက်များတွင် အရေးကြီးသောအင်္ဂါရပ်အားလုံး။
စာတိုက်အချိန်- သြဂုတ်-၀၉-၂၀၂၂