ကျွန်ုပ်တို့အားလုံးသိကြသည့်အတိုင်း၊ sputtering ပစ်မှတ်များ၏ သတ်မှတ်ချက်များစွာရှိသည်၊ ၎င်းတို့၏ အသုံးချနယ်ပယ်များသည်လည်း အလွန်ကျယ်ပြန့်ပါသည်။မတူညီသောနယ်ပယ်များတွင် အသုံးများသောပစ်မှတ်အမျိုးအစားများသည်လည်း ကွဲပြားပါသည်။ယနေ့၊ RSM အယ်ဒီတာနှင့် sputtering ပစ်မှတ်အပလီကေးရှင်းနယ်ပယ်များကို အမျိုးအစားခွဲခြင်းအကြောင်း လေ့လာကြည့်ရအောင်။
1၊ sputtering ပစ်မှတ်၏အဓိပ္ပါယ်
Sputtering သည် ပါးလွှာသော ဖလင်ပစ္စည်းများကို ပြင်ဆင်ရန်အတွက် အဓိကနည်းပညာတစ်ခုဖြစ်သည်။၎င်းသည် မြန်နှုန်းမြင့် အိုင်းယွန်းအလင်းတန်းတစ်ခုအဖြစ် အရှိန်မြှင့်ရန် အိုင်ယွန်းအရင်းအမြစ်မှ ထွက်လာသော အိုင်းယွန်းများကို အသုံးပြု၍ မြန်နှုန်းမြင့် အိုင်းယွန်းအလင်းတန်းကို ဖွဲ့စည်းကာ အစိုင်အခဲမျက်နှာပြင်ပေါ်ရှိ အက်တမ်များနှင့် အိုင်းယွန်းစွမ်းအင်များကို ဖလှယ်ကာ အစိုင်အခဲပေါ်ရှိ အက်တမ်များကို လဲလှယ်ပေးသည်။ မျက်နှာပြင်ကို အစိုင်အခဲမှ ခွဲထုတ်ပြီး အလွှာမျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် မြှုပ်နှံထားသည်။ဗုံးကြဲထားသည့် အစိုင်အခဲသည် sputtering target ဟုခေါ်သော sputtering ပစ်မှတ်ဖြင့် ထည့်ထားသော ပါးလွှာသော ဖလင်ကို ပြင်ဆင်ရန်အတွက် ကုန်ကြမ်းဖြစ်သည်။
2၊ sputtering ပစ်မှတ်အပလီကေးရှင်းနယ်ပယ်များကိုအမျိုးအစားခွဲခြားခြင်း။
1. Semiconductor ပစ်မှတ်
(1) ဘုံပစ်မှတ်များ- ဤနယ်ပယ်ရှိ ဘုံပစ်မှတ်များတွင် တန်တလမ်/ကြေးနီ/တိုက်တေနီယမ်/အလူမီနီယမ်/ရွှေ/နီကယ်ကဲ့သို့သော အရည်ပျော်မှတ်မြင့်သတ္တုများ ပါဝင်သည်။
(2) အသုံးပြုမှု- ပေါင်းစပ်ဆားကစ်များအတွက် အဓိကကုန်ကြမ်းအဖြစ် အဓိကအသုံးပြုသည်။
(၃) စွမ်းဆောင်ရည်လိုအပ်ချက်များ- သန့်ရှင်းမှု၊ အရွယ်အစား၊ ပေါင်းစပ်မှု အစရှိသည်တို့အတွက် မြင့်မားသော နည်းပညာဆိုင်ရာ လိုအပ်ချက်များ။
2. ပြားချပ်ချပ်ချပ်မျက်နှာပြင်ပြသမှုအတွက် ပစ်မှတ်
(1) ဘုံပစ်မှတ်များ- ဤနယ်ပယ်ရှိ ဘုံပစ်မှတ်များမှာ အလူမီနီယံ၊ ကြေးနီ/ မိုလီဘဒင်နမ်/ နီကယ်/ နီအိုဘီယမ်/ ဆီလီကွန်/ ခရိုမီယမ် စသည်တို့ ပါဝင်သည်။
(၂) အသုံးပြုမှု- ဤပစ်မှတ်မျိုးကို တီဗီနှင့် မှတ်စုစာအုပ်များကဲ့သို့သော ဧရိယာကျယ်သော ရုပ်ရှင်အမျိုးအစားများအတွက် အသုံးများသည်။
(၃) စွမ်းဆောင်ရည်လိုအပ်ချက်များ- သန့်ရှင်းမှု အတွက် မြင့်မားသော လိုအပ်ချက်များ၊ ကြီးမားသော ဧရိယာ၊ တူညီမှု စသည်တို့။
3. ဆိုလာဆဲလ်အတွက် ပစ်မှတ်ပစ္စည်း
(1) ဘုံပစ်မှတ်များ- အလူမီနီယံ/ကြေးနီ/မိုလစ်ဘ်ဒင်နမ်/ခရိုမီယမ်/ITO/Ta နှင့် ဆိုလာဆဲလ်များအတွက် အခြားပစ်မှတ်များ။
(၂) အသုံးပြုမှု- “ပြတင်းပေါက်အလွှာ”၊ အတားအဆီးအလွှာ၊ လျှပ်ကူးပစ္စည်းနှင့် လျှပ်ကူးပစ္စည်းဖလင်များတွင် အဓိကအားဖြင့် အသုံးပြုသည်။
(၃) စွမ်းဆောင်ရည်လိုအပ်ချက်များ- မြင့်မားသောနည်းပညာဆိုင်ရာလိုအပ်ချက်များနှင့် ကျယ်ပြန့်သောအသုံးချမှုအကွာအဝေး။
4. အချက်အလက်သိုလှောင်မှုအတွက် ပစ်မှတ်
(1) ဘုံပစ်မှတ်များ- ကိုဘော့ / နီကယ် / ဖာရိုလွိုင်း / ခရိုမီယမ် / တယ်ယူရီယမ် / ဆီလီနီယမ် နှင့် အချက်အလက်သိုလှောင်မှုအတွက် ဘုံပစ်မှတ်များ။
(2) အသုံးပြုမှု- ဤပစ်မှတ်ပစ္စည်းအမျိုးအစားကို သံလိုက်ဦးခေါင်း၊ အလယ်အလွှာနှင့် optical drive နှင့် optical disc ၏ အောက်အလွှာအတွက် အဓိကအားဖြင့် အသုံးပြုပါသည်။
(၃) စွမ်းဆောင်ရည်လိုအပ်ချက်များ- သိုလှောင်မှုသိပ်သည်းဆနှင့် မြင့်မားသော ဂီယာမြန်နှုန်းတို့ လိုအပ်သည်။
5. ကိရိယာမွမ်းမံခြင်းအတွက် ပစ်မှတ်
(1) ဘုံပစ်မှတ်များ- ကိရိယာများဖြင့် ပြုပြင်ထားသော တိုက်တေနီယမ် / ဇာကွန်နီယမ် / ခရိုမီယမ် အလူမီနီယမ် ကဲ့သို့သော ဘုံပစ်မှတ်များ။
(2) အသုံးပြုပုံ- မျက်နှာပြင် အားကောင်းစေရန်အတွက် အသုံးပြုသည်။
(3) စွမ်းဆောင်ရည်လိုအပ်ချက်များ- မြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်လိုအပ်ချက်များနှင့် ဝန်ဆောင်မှုသက်တမ်း တာရှည်။
6. အီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများအတွက် ပစ်မှတ်များ
(1) ဘုံပစ်မှတ်များ- အီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများအတွက် ဘုံလူမီနီယမ်အလွိုင်း/ဆီသတ်ပစ်မှတ်များ
(၂) ရည်ရွယ်ချက်- ယေဘုယျအားဖြင့် ပါးလွှာသော ဖလင်ခံနိုင်ရည်များနှင့် ကာပတ်စီတာများအတွက် အသုံးပြုသည်။
(3) စွမ်းဆောင်ရည်လိုအပ်ချက်- သေးငယ်သောအရွယ်အစား၊ တည်ငြိမ်မှု၊ ခံနိုင်ရည်နိမ့်သောအပူချိန်ကိန်းဂဏန်း
တင်ချိန်- ဇူလိုင် ၂၇-၂၀၂၂